Товары из категории транзисторы, стр.166

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 094.57 
Доступность: 85 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
948.84 
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
4 142.64 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 021.71 
Доступность: 287 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 595.35 
Доступность: 51 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 350.39 
Доступность: 453 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

0.0
GAN041-650WSBQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
1 613.95 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
GAN063-650WSAQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
2 872.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

0.0
HCT7000M-TTE
Обозначение производителяHCT7000M ПроизводительTT ELECTRONICS
4 511.63 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "HCT7000M, HCT7000M" 3.

0.0
HD1750FX
Вид упаковкитуба КорпусISOWATT218FX МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер800В Обозначение производителяHD1750FX
755.04 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "HD1750FX, Транзистор: NPN; биполярный; 800В; 24А; 75Вт; ISOWATT218FX" 1.

0.0
HFA3102BZ
Вид транзистораRF КорпусSO14 Коэффициент усиления по току70 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер
1 358.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3102BZ, Транзистор: NPN x6; биполярный; RF; 8В; 30мА; 250мВт; SO14" 1.

0.0
HFA3127BZ
Вид транзистораRF КорпусSO16 Коэффициент усиления по току130 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
2 024.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3127BZ, Транзистор: NPN x5; биполярный; RF; 12В; 37мА; 150мВт; SO16" 1.

0.0
HFA3127RZ
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусQFN16 Коэффициент усиления по току130 МонтажSMD
1 897.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HFA3127RZ, Транзистор: NPN x5; биполярный; RF; 12В; 37мА; 150мВт; QFN16" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
248.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
131.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HUF75321P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC КорпусTO220AB МонтажTHT
181.40 
Доступность: 99 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75321P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 31А; 93Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75332P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора85нC КорпусTO220AB МонтажTHT
289.92 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75332P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75339P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC КорпусTO220AB МонтажTHT
238.76 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75339P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 200Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75344G3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора7нC КорпусTO247 МонтажTHT
631.01 
Доступность: 147 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75344G3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 285Вт; TO247" 1.

0.0
HUF75344P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220AB МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
525.58 
Доступность: 49 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75344P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 285Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75345P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора275нC КорпусTO220AB МонтажTHT
432.56 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75345P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 325Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75545P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC КорпусTO220AB МонтажTHT
356.59 
Доступность: 130 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75545P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 73А; 270Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75639G3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
615.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF75639G3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO247" 1.

0.0
HUF75639P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC КорпусTO220AB МонтажTHT
452.71 
Доступность: 33 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75639P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75639S3ST
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK МонтажSMD
468.22 
Доступность: 756 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK" 1.

0.0
HUF75645P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора238нC КорпусTO220AB МонтажTHT
418.60 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75645P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 65А; 310Вт; TO220AB" 1.

0.0
HUF75652G3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора475нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 475.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF75652G3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 75А; 515Вт; TO247" 1.

0.0
HUF76423P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусTO220AB МонтажTHT
330.23 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF76423P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 23А; 85Вт; TO220AB" 1.

0.0
IAUA200N04S5N010
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
314.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

0.0
IAUS165N08S5N029
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOG-8 МонтажSMD
558.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

0.0
IAUT300N08S5N012
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
768.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

0.0
IGOT60R070D1AUMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
4 455.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

0.0
IGT60R190D1SATMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 103.88 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

0.0
IMB10AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
53.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB10AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMB11AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB11AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMB2AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
13.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB2AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 10.

0.0
IMB3AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
89.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMB3AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMH11AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMH11AT110, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж