Товары из категории транзисторы, стр.469

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
LGE3M45170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
10 465.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

0.0
LGE3M45170Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
10 217.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

0.0
LGE3M50120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 651.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт" 1.

0.0
LGE3M50120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 728.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт" 1.

0.0
LGE3M60065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 000.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M60065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт" 1.

0.0
LGE3M70120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора69нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 403.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M70120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт" 1.

0.0
LGE3M80120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 953.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт" 1.

0.0
LGE3M80120J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 953.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
LGE3M80120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 000.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт" 1.

0.0
LM395T/NOPB
Вид упаковкитуба КорпусTO220AB МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер36В Обозначение производителяLM395T/NOPB
609.30 
Доступность: 156 шт.
 

Минимальное количество для товара "LM395T/NOPB, Транзистор: NPN; биполярный; 36В; 2,2А; TO220AB" 1.

0.0
LND01K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток
112.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

0.0
LND150K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
167.44 
Доступность: 2180 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

0.0
LND150N3-G-P002
Вид каналаобедненный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

0.0
LND150N3-G-P003
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

0.0
LND150N3-G-P013
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

0.0
LND150N3-G-P014
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

0.0
LND150N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
123.26 
Доступность: 359 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92" 3.

0.0
LND150N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
128.68 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

0.0
LND250K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
99.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

0.0
LP0701LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
370.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж