Товары из категории транзисторы, стр.600

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SI2369DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD
78.29 
Доступность: 239 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2371EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23
63.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2374DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
49.61 
Доступность: 1965 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2374DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,7А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2377EDS-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOT23
99.22 
Доступность: 1502 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD" 1.

0.0
SI2387DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
77.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

0.0
SI2392ADS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
100.78 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2392ADS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2393DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
78.29 
Доступность: 3490 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI2399DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
70.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI3127DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3401A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
55.81 
Доступность: 3080 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт" 1.

0.0
SI3402-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,34нC КорпусSOT23 МонтажSMD
65.89 
Доступность: 2949 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3402-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1,3Вт" 1.

0.0
SI3404-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3404-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 30А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI3407DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
60.47 
Доступность: 2631 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

0.0
SI3417DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI3420A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.91 
Доступность: 2257 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3420A-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,8А; Idm: 30А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
SI3421DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
105.43 
Доступность: 1807 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI3433CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
75.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI3437DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
144.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

0.0
SI3439KDWA-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363
61.24 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD" 1.

0.0
SI3440DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
141.86 
Доступность: 2850 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж