Товары из категории транзисторы, стр.604

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SI4835DDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
231.78 
Доступность: 2493 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
112.40 
Доступность: 584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8" 5.

0.0
SI4840BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
221.71 
Доступность: 924 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4840BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 9,9А; 6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4848DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
243.41 
Доступность: 2024 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4848DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт" 1.

0.0
SI4848DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
260.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4848DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт" 1.

0.0
SI4850EY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
137.98 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,1А; 3,3Вт; SO8" 1.

0.0
SI4850EY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
324.81 
Доступность: 986 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

0.0
SI4894BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8" 2500.

0.0
SI4925BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4925DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
225.58 
Доступность: 171 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4936CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
149.61 
Доступность: 2831 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI4946BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
255.81 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

0.0
SI4946BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
282.95 
Доступность: 59 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
210.85 
Доступность: 2144 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

0.0
SI4963BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
75.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
69.77 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.32 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI5935CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD
120.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж