Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

BSL214NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; TSOP6

0.0

КОД:

BSL214NH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В

50¹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSL214NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; TSOP6" 1.

BSL215CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

0.0

КОД:

BSL215CH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В

114⁵⁸ ^₽

Доступность: 2391 шт.

Минимальное количество для товара "BSL215CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт" 1.

BSL296SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,4А; 2Вт; TSOP6; ESD

0.0

КОД:

BSL296SNH6327XTSA1

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

70⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSL296SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,4А; 2Вт; TSOP6; ESD" 1.

BSL307SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

0.0

КОД:

BSL307SPH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В

142⁹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSL307SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

BSL308CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

0.0

КОД:

BSL308CH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30/-30В

123¹¹ ^₽

Доступность: 2927 шт.

Минимальное количество для товара "BSL308CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт" 1.

BSL308PEH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

0.0

КОД:

BSL308PEH6327XTSA1

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

107⁰¹ ^₽

Доступность: 2062 шт.

Минимальное количество для товара "BSL308PEH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD" 1.

BSL316CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

0.0

КОД:

BSL316CH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30/-30В

103²² ^₽

Доступность: 2032 шт.

Минимальное количество для товара "BSL316CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт" 1.

BSL372SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; 2Вт; TSOP6

0.0

КОД:

BSL372SNH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

75⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSL372SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; 2Вт; TSOP6" 1.

BSL606SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

0.0

КОД:

BSL606SNH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

150⁵⁷ ^₽

Доступность: 4645 шт.

Минимальное количество для товара "BSL606SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

BSL802SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; 2Вт; TSOP6

0.0

КОД:

BSL802SNH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В

51¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSL802SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

BSM200GB60DLC, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

BSM200GB60DLC

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-34MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяBSM200GB60DLC

21 246²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSM200GB60DLC, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

BSO033N03MSGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 22А; 1,56Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO033N03MSGXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO033N03MSGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 22А; 1,56Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO080P03SHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO080P03SHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

310⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO080P03SHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO110N03MSGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,1А; 1,56Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO110N03MSGXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

156²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO110N03MSGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,1А; 1,56Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO150N03MDGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,3А; 1,56Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO150N03MDGXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

243³⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO150N03MDGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,3А; 1,56Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO201SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; 1,6Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO201SPHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В

260⁴² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO201SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO203PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO203PHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO203PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO203SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO203SPHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO203SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO207PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO207PHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В

107⁰¹ ^₽

Доступность: 2213 шт.

Минимальное количество для товара "BSO207PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO211PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO211PHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В

59⁶⁶ ^₽

Доступность: 2428 шт.

Минимальное количество для товара "BSO211PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO220N03MDGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,7А; 1,56Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO220N03MDGXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

185⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO220N03MDGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,7А; 1,56Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO301SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO301SPHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO301SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO303SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; 1,56Вт; PG-DSO-8

0.0

КОД:

BSO303SPHXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO303SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; 1,56Вт; PG-DSO-8" 1.

BSO613SPVGXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

BSO613SPVGXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В

239⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSO613SPVGXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8" 1.