Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

0.0

КОД:

BSS816NWH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В

57⁷⁷ ^₽

Доступность: 4563 шт.

Минимальное количество для товара "BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323" 1.

BSS83PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,33А; 0,36Вт; PG-SOT23

0.0

КОД:

BSS83PH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPG-SOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

61⁵⁵ ^₽

Доступность: 734 шт.

Минимальное количество для товара "BSS83PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,33А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

BSS84PH6327XTSA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23

0.0

КОД:

BSS84PH6327XTSA2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT23 МонтажSMD

59⁶⁶ ^₽

Доступность: 14835 шт.

Минимальное количество для товара "BSS84PH6327XTSA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

BSS84PWH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

0.0

КОД:

BSS84PWH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT-323 МонтажSMD

35⁹⁸ ^₽

Доступность: 6287 шт.

Минимальное количество для товара "BSS84PWH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323" 1.

BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4

0.0

КОД:

BSS87H6327FTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток240В

97⁵⁴ ^₽

Доступность: 896 шт.

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

BSV236SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,5А; 0,56Вт; PG-SOT-363

0.0

КОД:

BSV236SPH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В

83³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSV236SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,5А; 0,56Вт; PG-SOT-363" 1.

BSZ014NE2LS5IFATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ014NE2LS5IFATMA

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ014NE2LS5IFATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ018NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

246²¹ ^₽

Доступность: 4974 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ018NE2LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

338⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ019N03LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

303⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ025N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

268⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ028N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

223⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ034N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

304⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ035N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ035N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ035N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ035N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ036NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 37Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ036NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ036NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 37Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ040N04LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

203⁶⁰ ^₽

Доступность: 1952 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ042N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

294⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0506NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

208³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ050N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

232⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ050N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ058N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ058N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ058N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ065N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 26Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ065N03LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ065N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 26Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ067N06LS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

310⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.