Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ110N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
230.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ12DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
224.51 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ130N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
119.37 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ130N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
79.05 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт
0.0
BSZ15DC02KDHXTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
203.95 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт" 1.

BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ160N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
171.54 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ180P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
126.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ22DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
244.27 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ42DN25NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
227.67 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ440N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
245.85 ₽
Доступность: 5899 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ520N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
212.65 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ900N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
160.47 ₽
Доступность: 3006 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ900N20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
251.38 ₽
Доступность: 868 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BTF3035EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
0.0
BTF3035EJXUMA1
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
226.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BTF3035EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF3050EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
0.0
BTF3050EJXUMA1
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
170.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BTF3050EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF3080EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
0.0
BTF3080EJXUMA1
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
188.14 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BTF3080EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF50060-1TEA, IC: power switch; high-side; 16,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5
0.0
BTF50060-1TEA
Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Выходной ток16,5А Кол-во каналов1 КорпусTO252-5
664.03 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BTF50060-1TEA, IC: power switch; high-side; 16,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5" 1.

BTN8962TAAUMA1, IC: driver; полумост MOSFET; IMC,контроллер двигателя; -27÷30А
0.0
BTN8962TAAUMA1
Вид микросхемыIMC, контроллер двигателя Вид упаковкибобина, лента Выходной ток-27...30А Кол-во каналов1 КорпусPG-TO263-7
776.28 ₽
Доступность: 657 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BTN8962TAAUMA1, IC: driver; полумост MOSFET; IMC,контроллер двигателя; -27÷30А" 1.

BTS117BKSA1, IC: power switch; low-side; 3,5А; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
0.0
BTS117BKSA1
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкитуба Выходной ток3,5А Кол-во каналов1
610.28 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BTS117BKSA1, IC: power switch; low-side; 3,5А; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3" 1.

BTS134D, IC: power switch; low-side; 3,5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
0.0
BTS134D
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Выходное напряжение42В Выходной ток3,5А Кол-во каналов1
523.32 ₽
Доступность: 96 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BTS134D, IC: power switch; low-side; 3,5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3" 1.

BTS142D, IC: power switch; low-side; 4,6А; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
0.0
BTS142D
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Выходное напряжение42В Выходной ток4,6А
396.84 ₽
Доступность: 731 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BTS142D, IC: power switch; low-side; 4,6А; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3" 1.

BTS282ZE3180AATMA2, IC: power switch; low-side; 36А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
0.0
BTS282ZE3180A
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Выходное напряжение49В Выходной ток36А
1 214.23 ₽
Доступность: 77 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BTS282ZE3180AATMA2, IC: power switch; low-side; 36А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1" 1.

BTS282ZE3230AKSA2, IC: power switch; low-side; 36А; Ch: 1; N-Channel; THT; туба; 300Вт
0.0
BTS282ZE3230
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкитуба Выходное напряжение49В Выходной ток36А
1 201.58 ₽
Доступность: 47 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BTS282ZE3230AKSA2, IC: power switch; low-side; 36А; Ch: 1; N-Channel; THT; туба; 300Вт" 1.

BTS3035EJ, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
0.0
BTS3035EJ
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Время включения115мкс Время выключения210мкс Выходное напряжение40В
248.22 ₽
Доступность: 2995 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BTS3035EJ, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки