Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя INFINEON TECHNOLOGIES - страница 25

Сортировать по:
Новинки ниже
BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ22DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
188.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ42DN25NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
225.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ440N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
146.13 ₽
Доступность: 5867 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ520N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
250.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ900N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
180.07 ₽
Доступность: 3006 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ900N20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
309.96 ₽
Доступность: 858 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А
0.0
FF45MR12W1M1B11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1BM-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
9 821.40 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А" 1.

IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт
0.0
IAUA200N04S5N010
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
339.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт
0.0
IAUS165N08S5N029
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOG-8 МонтажSMD
622.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8
0.0
IAUT300N08S5N012
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
743.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А
0.0
IGOT60R070D1AUMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
4 729.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А
0.0
IGT60R190D1SATMA1
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 155.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт
0.0
IMW120R014M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
6 743.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт" 1.

IMW120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт
0.0
IMW120R020M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
4 739.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт
0.0
IMW120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 118.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт
0.0
IMW120R045M1XKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
2 998.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247
0.0
IMW120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 841.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247" 1.

IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247
0.0
IMW120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 289.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247" 1.

IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247
0.0
IMW120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 197.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247" 1.

IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
0.0
IMW120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 608.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки