Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ120P03NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 66Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ123N08NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 66Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ12DN20NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

258⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ130N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

75⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ130N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

83³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ150N10LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ150N10LS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ150N10LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт

0.0

КОД:

BSZ15DC02KDHXTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В

229¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт" 1.

BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ160N10NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

198⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ16DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,9А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ16DN25NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ16DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,9А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ180P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ180P03NS3EGATMA

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ180P03NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

167⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ22DN20NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

161⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ240N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 37А; 66Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ240N12NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ240N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 37А; 66Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ340N08NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ42DN25NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В

262³¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ440N10NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

283¹⁴ ^₽

Доступность: 5899 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ520N15NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

313⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ900N15NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

167⁶¹ ^₽

Доступность: 3058 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ900N20NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

294⁵¹ ^₽

Доступность: 975 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BTF3035EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31

0.0

КОД:

BTF3035EJXUMA1

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс

348⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BTF3035EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF3050EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31

0.0

КОД:

BTF3050EJXUMA1

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс

249⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BTF3050EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF3080EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31

0.0

КОД:

BTF3080EJXUMA1

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс

206⁴⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BTF3080EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF3125EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 2А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31

0.0

КОД:

BTF3125EJXUMA1

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс

251⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BTF3125EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 2А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31" 1.

BTF50060-1TEA, IC: power switch; high-side; 16,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5

0.0

КОД:

BTF50060-1TEA

Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Выходной ток16,5А Кол-во каналов1 КорпусTO252-5

1 247¹⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BTF50060-1TEA, IC: power switch; high-side; 16,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5" 1.