Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя IXYS - страница 51

Сортировать по:
Новинки ниже
IXFK94N50P2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 94А; 1300Вт; TO264
0.0
IXFK94N50P2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора228нC КорпусTO264 МонтажTHT
3 620.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFK94N50P2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 94А; 1300Вт; TO264" 1.

IXFK98N50P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 98А; 1300Вт; TO264
0.0
IXFK98N50P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора200нC КорпусTO264 МонтажTHT
3 068.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFK98N50P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 98А; 1300Вт; TO264" 1.

IXFL100N50P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 68А; 625Вт; ISOPLUS264™
0.0
IXFL100N50P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусISOPLUS264™ МонтажTHT
4 933.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFL100N50P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 68А; 625Вт; ISOPLUS264™" 1.

IXFL132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 63А; 520Вт; ISOPLUS264™
0.0
IXFL132N50P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора250нC КорпусISOPLUS264™ МонтажTHT
5 542.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFL132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 63А; 520Вт; ISOPLUS264™" 1.

IXFL210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 108А; 520Вт; ISOPLUS264™
0.0
IXFL210N30P3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора268нC КорпусISOPLUS264™ МонтажTHT
1 983.86 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFL210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 108А; 520Вт; ISOPLUS264™" 1.

IXFL32N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 24А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
0.0
IXFL32N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора360нC КорпусISOPLUS i5-pac™ МонтажTHT
3 880.41 ₽
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFL32N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 24А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

IXFL38N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
0.0
IXFL38N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,35мкC КорпусISOPLUS i5-pac™ МонтажTHT
2 009.54 ₽
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFL38N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

IXFL44N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 22А; 357Вт; ISOPLUS264™
0.0
IXFL44N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора305нC КорпусISOPLUS264™ МонтажTHT
2 060.90 ₽
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFL44N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 22А; 357Вт; ISOPLUS264™" 1.

IXFL60N80P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 800В; 40А; 625Вт; 250нс
0.0
IXFL60N80P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора250нC КорпусISOPLUS264™
5 318.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFL60N80P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 800В; 40А; 625Вт; 250нс" 1.

IXFL82N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
0.0
IXFL82N60P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусISOPLUS264™ МонтажTHT
1 865.74 ₽
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFL82N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™" 1.

IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт
0.0
IXFN100N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 000.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт" 1.

IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN100N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 831.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXFN100N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора183нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 449.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт
0.0
IXFN102N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора224нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 498.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN110N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора254нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 005.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 100.

IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт
0.0
IXFN110N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 684.52 ₽
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN120N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 480.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN130N90SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
38 440.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 314.75 ₽
Доступность: 280 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт
0.0
IXFN140N20P
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 347.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки