Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя IXYS - страница 53

Сортировать по:
Новинки ниже
IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN27N120SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
10 580.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт
0.0
IXFN300N10P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 061.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN300N20X3
Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 841.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN30N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 043.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт
0.0
IXFN320N17T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 516.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А
0.0
IXFN32N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 732.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А
0.0
IXFN32N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
14 107.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт
0.0
IXFN32N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 190.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN32N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 504.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN340N07
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора0,49мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 580.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXFN360N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности130нс Заряд затвора525нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 306.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А
0.0
IXFN36N100
Вид каналаобогащенный Время готовности180нс Заряд затвора380нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
16 178.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А" 1.

IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А
0.0
IXFN38N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 426.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А" 1.

IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN400N15X3
Вид каналаобогащенный Время готовности132нс Заряд затвора365нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 163.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN40N110P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 245.05 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN40N110Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
3 833.46 ₽
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А
0.0
IXFN40N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 277.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC
0.0
IXFN420N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 850.33 ₽
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
0.0
IXFN44N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 464.42 ₽
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
0.0
IXFN44N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 387.38 ₽
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки