Товары от производителя IXYS - страница 56

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Код производителяIXFN44N100Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
12 869.82 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Код производителяIXFN44N80P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 740.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Код производителяIXFN44N80Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
14 108.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFN48N60P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 193.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Код производителяIXFN50N120SIC Конструкция диодаодиночный транзистор
16 542.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Код производителяIXFN50N120SK Конструкция диодаодиночный транзистор
18 727.20 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Код производителяIXFN520N075T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
5 901.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Код производителяIXFN52N100X Конструкция диодаодиночный транзистор
11 262.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Код производителяIXFN52N90P Конструкция диодаодиночный транзистор
10 398.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Код производителяIXFN56N90P Конструкция диодаодиночный транзистор
9 151.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Код производителяIXFN60N80P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 705.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Код производителяIXFN62N80Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
13 391.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFN64N50P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 271.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Код производителяIXFN64N60P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 844.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Код производителяIXFN66N85X Конструкция диодаодиночный транзистор
9 575.46 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора380нC Код производителяIXFN80N50 Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора195нC Код производителяIXFN80N50P Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Код производителяIXFN80N50Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 689.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяIXFN80N60P3 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 103.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Код производителяIXFN82N60P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 787.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип оптоизолятора
Тип реле
Тип транзистора
Исполнение реле
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Топология
Версия
Кол-во каналов
Коммутируемое напряжение
Механический монтаж
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество возможных положений
Контакты
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Управляющее напряжение
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Внешние размеры
Интерфейс
Корпус
Падение напряжения макс.
Рабочий ток макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Вид памяти
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Класс напряжения
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Напряжение изоляции
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Управляющий ток макс.
Ток стока в импульсном режиме
Время отпускания
Управляющий ток
Характеристики полупроводниковых элементов
Время срабатывания
Монтажная резьба
Алгоритм работы(позиция в скобках обозначает мгновенную позицию.)
Время выключения
Выводы