Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 51

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
148.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
180.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
53.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
57.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSST3 МонтажSMD
15.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
24.94 
Доступность: 618 шт.
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
176.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
141.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
135.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
141.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
277.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
129.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
182.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
93.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
220.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
70.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
101.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
102.71 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
143.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки