Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 53

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяRQ3E180BNTB КорпусHSMT8
186.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC Код производителяRQ3E180GNTB КорпусHSMT8
124.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяRQ3G100GNTB КорпусHSMT8
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,1нC Код производителяRQ3G150GNTB КорпусHSMT8
262.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC Код производителяRQ3L050GNTB КорпусHSMT8
189.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяRQ3L070ATTB КорпусHSMT8
63.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L070ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -25А; Idm: -28А; 20Вт; HSMT8" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC Код производителяRQ3L090GNTB КорпусHSMT8
73.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L090GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 36А; 20Вт; HSMT8" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяRQ3P300BHTB1 КорпусHSMT8
89.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3P300BHTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 40А; 32Вт; HSMT8" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRQ5A020ZPTL КорпусTSMT3
129.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5A020ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяRQ5A030APTL КорпусTSMT3
85.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5A030APTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -9А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяRQ5A040ZPTL КорпусTSMT3
129.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5A040ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRQ5C035BCTCL КорпусTSMT3
100.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5C035BCTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,2нC Код производителяRQ5C060BCTCL КорпусTSMT3
188.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5C060BCTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -18А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC Код производителяRQ5E015RPTL КорпусTSMT3
123.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E015RPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяRQ5E025TNTL КорпусTSMT3
135.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC Код производителяRQ5E030AJTCL КорпусTSMT3
123.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC Код производителяRQ5E030RPTL КорпусTSMT3
123.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E030RPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяRQ5E035ATTCL КорпусTSMT3
84.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E035ATTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяRQ5E035BNTCL КорпусTSMT3
67.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC Код производителяRQ5E040AJTCL КорпусTSMT3
126.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E040AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения