Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 60

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1C001ZPTL КорпусSOT323F
34.83 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1C002UNTCL КорпусSOT323F МонтажSMD
55.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяRU1C002ZPTCL КорпусSOT323F
40.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1E002SPTCL КорпусSOT323F
47.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1J002YNTCL КорпусSOT323F
37.31 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1L002SNTL КорпусSOT323F МонтажSMD
44.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200мВт; SOT323F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUC002N05HZGT116 КорпусSST3 МонтажSMD
37.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05HZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUC002N05T116 КорпусSST3 МонтажSMD
43.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05T116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC Код производителяRUF015N02TL КорпусTUMT3
27.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF015N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 800мВт; TUMT3" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRUF020N02TL КорпусTUMT3
111.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRUF025N02FRATL КорпусTUMT3
112.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRUF025N02TL КорпусTUMT3
149.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUM001L02T2CL КорпусSOT723
51.41 
Доступность: 11186 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM001L02T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUM002N02T2L КорпусSOT723
55.56 
Доступность: 762 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N02T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUM002N05T2L КорпусSOT723
60.53 
Доступность: 8285 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N05T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRUQ050N02FRATR КорпусTSMT6
58.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRUR020N02TL КорпусTSMT3
136.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяRUR040N02FRATL КорпусTSMT3
170.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяRUR040N02TL КорпусTSMT3
163.35 
Доступность: 2770 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRV1C001ZPT2L КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD
52.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения