Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 56

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39,8нC Код производителяRS1E301GNTB1 КорпусHSOP8
286.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1E301GNTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 120А; 33Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42,8нC Код производителяRS1E321GNTB1 КорпусHSOP8
153.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1E321GNTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 128А; 34Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора185нC Код производителяRS1E350BNTB КорпусHSOP8
167.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1E350BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 140А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC Код производителяRS1G120MNTB КорпусHSOP8
148.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G120MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 34А; Idm: 48А; 25Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяRS1G150MNTB КорпусHSOP8
116.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G150MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 43А; Idm: 60А; 25Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,5нC Код производителяRS1G180MNTB КорпусHSOP8
328.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G180MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 57А; Idm: 72А; 30Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяRS1G201ATTB1 КорпусHSOP8
173.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G201ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -78А; Idm: -80А; 40Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяRS1G260MNTB КорпусHSOP8
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G260MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 104А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56,8нC Код производителяRS1G300GNTB КорпусHSOP8
136.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G300GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 120А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяRS1L120GNTB КорпусHSOP8
402.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 48А; 27Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяRS1L145GNTB КорпусHSOP8
107.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L145GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 47А; Idm: 58А; 31Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяRS1L151ATTB1 КорпусHSOP8
180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L151ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -56А; Idm: -60А; 40Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяRS1L180GNTB КорпусHSOP8
147.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 68А; Idm: 72А; 39Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяRS1P600BETB1 КорпусHSOP8
138.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1P600BETB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 70А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяRS3E075ATTB КорпусSOP8
115.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяRS3E180ATTB1 КорпусSOP8
121.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E180ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -72А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяRS3G160ATTB1 КорпусSOP8
133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3G160ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяRS3L110ATTB1 КорпусSOP8
147.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3L110ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; Idm: -44А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSC002P03T316 КорпусSOT23 МонтажSMD
43.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC Код производителяRSF010P05TL КорпусTUMT3
116.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения