Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 54

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC Код производителяRQ5E040TNTL КорпусTSMT3
145.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E040TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,4нC Код производителяRQ5E050ATTCL КорпусTSMT3
161.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E050ATTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -18А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяRQ5E070BNTCL КорпусTSMT3
106.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E070BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; Idm: 18А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC Код производителяRQ5H020SPTL КорпусTSMT3
144.28 
Доступность: 2401 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ5H020SPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRQ5H020TNTL КорпусTSMT3
251.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5H020TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC Код производителяRQ5H025TNTL КорпусTSMT3
116.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5H025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRQ5H030TNTL КорпусTSMT3
150.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5H030TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяRQ5L015SPTL КорпусTSMT3
97.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5L015SPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC Код производителяRQ5L020SNTL КорпусTSMT3
133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5L020SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRQ5L030SNTL КорпусTSMT3
165.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5L030SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC Код производителяRQ5L035GNTCL КорпусTSMT3
177.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5L035GNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяRQ5P010SNTL КорпусTSMT3
126.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5P010SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяRQ6A050ZPTR КорпусTSMT6
197.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6A050ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяRQ6E035ATTCR КорпусTSMT6
91.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6E035ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -12А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяRQ6E045BNTCR КорпусTSMT6
109.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6E045BNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC Код производителяRQ6E050ATTCR КорпусTSMT6
120.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6E050ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,6нC Код производителяRQ6E055BNTCR КорпусTSMT6
120.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6E055BNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,2нC Код производителяRQ6E080AJTCR КорпусTSMT6
169.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6E080AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32,7нC Код производителяRQ6E085BNTCR КорпусTSMT6
169.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6E085BNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC Код производителяRQ6L020SPTCR КорпусTSMT6
226.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6L020SPTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения