Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 64

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяSH8K26GZ0TB
111.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K26GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSH8K32GZETB
192.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K32GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяSH8K32TB1
445.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K32TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,7нC Код производителяSH8K37GZETB
276.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K37GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSH8K39GZETB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K39GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 13А; Idm: 30А; 5,8Вт; SOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSH8K41GZETB
245.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяSH8K52GZETB
174.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSH8KA2GZETB
282.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC Код производителяSH8KA4TB КорпусSOP8
92.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSH8KA7GZETB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA7GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 15А; Idm: 30А; 4,6Вт; SOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC Код производителяSH8KC6TB1
259.54 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "SH8KC6TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8/13нC Код производителяSH8M24TB1 КорпусSOP8
386.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8M24TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-6А; Idm: 14÷18А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC Код производителяSH8M41GZETB КорпусSOP8
286.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8M41GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC Код производителяSH8M41TB1 КорпусSOP8
350.75 
Доступность: 1593 шт.
 

Минимальное количество для товара "SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5/12,5нC Код производителяSH8M51GZETB КорпусSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8M51GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/6,7нC Код производителяSH8MA2GZETB КорпусSOP8
156.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MA2GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC Код производителяSH8MA3TB1 КорпусSOP8
178.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MA3TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC Код производителяSH8MA4TB1 КорпусSOP8
214.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,6/51нC Код производителяSH8MB5TB1 КорпусSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MB5TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 8,5/-8,5А; Idm: 34А; 2Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSP8J5FRATB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8J5FRATB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения