Бренды :: STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIX65C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S

15 393⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD50PIY120C5SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIY120C5SN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIY120C5SN

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD50PIY120C5SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIY120C6SN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIY120C6SN

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD50PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PJX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S

11 060⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD600HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD600HFX170C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFX170C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD600HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD600HFX65C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFX65C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD600HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD600HFX65C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFX65C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD600HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD600HFY120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFY120C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD600HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD600HFY120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFY120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD600HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD600HFY120P1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFY120P1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD600SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор

0.0

КОД:

GD600SGU120C2S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGU120C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

GD600SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор

0.0

КОД:

GD600SGX170C2S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGX170C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

GD600SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор

0.0

КОД:

GD600SGY120C2S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGY120C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD600SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

GD650HFX170P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD650HFX170P1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD650HFX170P1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD650HFX170P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD75FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFX170C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX170C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S

15 227²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFY120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C5S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFY120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 75А; L3.2

0.0

КОД:

GD75FSY120L3S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FSY120L3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 75А; L3.2" 1.

GD75HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFU120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFU120C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD75HFX170C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX170C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD75HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD75HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX65C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S

8 936⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75HHU120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HHU120C5S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD75HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.