Товары от производителя TAIWAN SEMICONDUCTOR - страница 80

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора81нC Код производителяTSM100N06CZ C0G КорпусTO220-3
288.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM100N06CZ C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 107Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора53нC Код производителяTSM10N80CI C0G КорпусTO220FP
1 063.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM10N80CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 48Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора53нC Код производителяTSM10N80CZ C0G КорпусTO220-3
1 063.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM10N80CZ C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 290Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора33нC Код производителяTSM10NC60CF C0G КорпусTO220FP
266.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM10NC60CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC Код производителяTSM10NC65CF C0G КорпусTO220FP
271.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM10NC65CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6,3А; 45Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора23нC Код производителяTSM110NB04CR RLG КорпусPDFN56
180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM110NB04CR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; 23Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора25нC Код производителяTSM110NB04DCR RLG КорпусPDFN56
310.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM110NB04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 10А; 9,6Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора23нC Код производителяTSM110NB04LCR RLG КорпусPDFN56
180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM110NB04LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; 23Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора36,5нC Код производителяTSM120N06LCR RLG КорпусPDFN56
153.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM120N06LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; 14Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора37нC Код производителяTSM120N06LCS RLG КорпусSOP8
221.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM120N06LCS RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; 2,5Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,18нC Код производителяTSM126CX RFG КорпусSOT23
49.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM126CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24мА; 500мВт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора36нC Код производителяTSM130NB06CR RLG КорпусPDFN56
231.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM130NB06CR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; 28Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора37нC Код производителяTSM130NB06LCR RLG КорпусPDFN56
231.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM130NB06LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; 28Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора19нC Код производителяTSM150NB04CR RLG КорпусPDFN56
164.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM150NB04CR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10А; 19Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18нC Код производителяTSM150NB04DCR RLG КорпусPDFN56
184.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM150NB04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 8А; 8Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18нC Код производителяTSM150NB04LCR RLG КорпусPDFN56
164.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM150NB04LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10А; 19Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора27нC Код производителяTSM160P02CS RLG КорпусSOP8
170.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM160P02CS RLG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 2,5Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC Код производителяTSM170N06CH X0G КорпусIPAK SL
148.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM170N06CH X0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 24А; 46Вт; IPAK SL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора14,6нC Код производителяTSM180P03CS RLG КорпусSOP8
126.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM180P03CS RLG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,3А; 2,5Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160нC Код производителяTSM190N08CZ C0G КорпусTO220-3
477.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM190N08CZ C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 14А; 160Вт; TO220-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Вид компаратора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Версия
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Входной ток смещения
Коэффициент скважности
Ток коллектора в импульсе
Время переключения
Поляризация входного тока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы