Товары от производителя TAIWAN SEMICONDUCTOR - страница 82

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,7нC Код производителяTSM250N02CX RFG КорпусSOT23
92.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM250N02CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,7А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора22нC Код производителяTSM250NB06DCR RLG КорпусPDFN56
242.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM250NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 7А; 9,6Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора19,5нC Код производителяTSM260P02CX RFG КорпусSOT23
134.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM260P02CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18нC Код производителяTSM280NB06LCR RLG КорпусPDFN56
129.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM280NB06LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7А; 19Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяTSM2N7002AKCU RFG КорпусSOT323 МонтажSMD
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2N7002AKCU RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 240мА; 298мВт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,65нC Код производителяTSM2N7002AKCX RFG КорпусSOT23
34.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2N7002AKCX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 134мА; 71мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяTSM2N7002AKDCU6 RFG КорпусSOT363 МонтажSMD
63.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2N7002AKDCU6 RFG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 220мА; 240мВт; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора910пC Код производителяTSM2N7002KCX RFG КорпусSOT23
29.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2N7002KCX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 134мА; 71мВт; SOT23" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9,4нC Код производителяTSM2NB60CP ROG КорпусDPAK
174.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM2NB60CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,35А; 44Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18нC Код производителяTSM300NB06CR RLG КорпусPDFN56
164.18 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM300NB06CR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; 19Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора17нC Код производителяTSM300NB06DCR RLG КорпусPDFN56
202.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM300NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6А; 8Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора8,4нC Код производителяTSM320N03CX RFG КорпусSOT23
111.94 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM320N03CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,3А; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора8,9нC Код производителяTSM320N03CX RFG КорпусSOT23
118.57 
Доступность: 105 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM320N03CX RFG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 400мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9,52нC Код производителяTSM3401CX RFG КорпусSOT23
148.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM3401CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; 800мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,6нC Код производителяTSM340N06CH X0G КорпусIPAK
220.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM340N06CH X0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 19А; 40Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9нC Код производителяTSM3443CX6 RFG КорпусSOT26
180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM3443CX6 RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 1,3Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора34нC Код производителяTSM35N10CP ROG КорпусDPAK
252.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM35N10CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4А; 53,3Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC Код производителяTSM3N80CH C5G КорпусIPAK
266.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM3N80CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,83А; 94Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC Код производителяTSM3N80CI C0G КорпусTO220FP
354.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM3N80CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,83А; 32Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора19нC Код производителяTSM3N80CP ROG КорпусDPAK
354.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM3N80CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,83А; 94Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Вид компаратора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Версия
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Входной ток смещения
Коэффициент скважности
Ток коллектора в импульсе
Время переключения
Поляризация входного тока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы