Товары от производителя TAIWAN SEMICONDUCTOR - страница 84

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора7,7нC Код производителяTSM60N1R4CH C5G КорпусIPAK
224.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N1R4CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,3А; 38Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,7нC Код производителяTSM60N1R4CP ROG КорпусDPAK
297.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N1R4CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,3А; 38Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора20,5нC Код производителяTSM60N380CH C5G КорпусIPAK
504.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N380CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 125Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора20,5нC Код производителяTSM60N380CI C0G КорпусTO220FP
565.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N380CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 33Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора20,5нC Код производителяTSM60N380CP ROG КорпусDPAK
674.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N380CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 125Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC Код производителяTSM60N600CH C5G КорпусIPAK
401.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N600CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,8А; 83Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC Код производителяTSM60N600CI C0G КорпусTO220FP
461.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N600CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,8А; 32Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора13нC Код производителяTSM60N600CP ROG КорпусDPAK
536.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N600CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,8А; 83Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора9,7нC Код производителяTSM60N900CH C5G КорпусIPAK
311.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N900CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,5А; 50Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора9,7нC Код производителяTSM60N900CI C0G КорпусTO220FP
364.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N900CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,5А; 20Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9,7нC Код производителяTSM60N900CP ROG КорпусDPAK
417.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60N900CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,5А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяTSM60NB099CF C0G КорпусTO220FP
1 063.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB099CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 69Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяTSM60NB099CZ C0G КорпусTO220-3
1 056.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB099CZ C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 298Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяTSM60NB150CF C0G КорпусTO220FP
760.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB150CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; 62,5Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора31нC Код производителяTSM60NB190CI C0G КорпусTO220FP
638.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB190CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,8А; 33,8Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора31нC Код производителяTSM60NB190CZ C0G КорпусTO220-3
612.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB190CZ C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,8А; 150,6Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора7,12нC Код производителяTSM60NB1R4CH C5G КорпусIPAK
173.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB1R4CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,12нC Код производителяTSM60NB1R4CP ROG КорпусDPAK
229.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB1R4CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; 28,4Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC Код производителяTSM60NB260CI C0G КорпусTO220FP
609.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB260CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 32,1Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC Код производителяTSM60NB380CF C0G КорпусTO220FP
408.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM60NB380CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 62,5Вт; TO220FP" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Вид компаратора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Версия
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Входной ток смещения
Коэффициент скважности
Ток коллектора в импульсе
Время переключения
Поляризация входного тока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы