Товары от производителя TAIWAN SEMICONDUCTOR - страница 86

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора36нC Код производителяTSM650N15CR RLG КорпусPDFN56
328.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM650N15CR RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 4А; 19Вт; PDFN56" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора37нC Код производителяTSM650N15CS RLG КорпусSOP8
308.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM650N15CS RLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 4А; 2,5Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора6,4нC Код производителяTSM650P02CX RFG КорпусSOT23
92.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM650P02CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора8нC Код производителяTSM650P03CX RFG КорпусSOT23
94.53 
Доступность: 300 шт.
 

Минимальное количество для товара "TSM650P03CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора16,4нC Код производителяTSM680P06CP ROG КорпусDPAK
199.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM680P06CP ROG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 20Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора7,7нC Код производителяTSM70N1R4CH C5G КорпусIPAK
238.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N1R4CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2А; 38Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,7нC Код производителяTSM70N1R4CP ROG КорпусDPAK
319.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N1R4CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2А; 38Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18,8нC Код производителяTSM70N380CH C5G КорпусIPAK
498.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N380CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 6,6А; 125Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18,8нC Код производителяTSM70N380CI C0G КорпусTO220FP
550.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N380CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 6,6А; 33Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18,8нC Код производителяTSM70N380CP ROG КорпусDPAK
664.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N380CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 6,6А; 125Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12,6нC Код производителяTSM70N600CH C5G КорпусIPAK
416.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N600CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,8А; 83Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12,6нC Код производителяTSM70N600CI C0G КорпусTO220FP
475.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N600CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,8А; 32Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора12,6нC Код производителяTSM70N600CP ROG КорпусDPAK
554.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N600CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,8А; 83Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10,7нC Код производителяTSM70N750CH C5G КорпусIPAK
286.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N750CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,6А; 62,5Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора10,7нC Код производителяTSM70N750CP ROG КорпусDPAK
383.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N750CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,6А; 62,5Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора9,7нC Код производителяTSM70N900CH C5G КорпусIPAK
311.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N900CH C5G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,7А; 50Вт; IPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора9,7нC Код производителяTSM70N900CI C0G КорпусTO220FP
364.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N900CI C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,7А; 20Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9,7нC Код производителяTSM70N900CP ROG КорпусDPAK
417.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70N900CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,7А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора7,4нC Код производителяTSM70NB1R4CP ROG КорпусDPAK
279.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM70NB1R4CP ROG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 1,8А; 28Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора24нC Код производителяTSM7NC60CF C0G КорпусTO220FP
228.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM7NC60CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 44,6Вт; TO220FP" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Вид компаратора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Версия
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Входной ток смещения
Коэффициент скважности
Ток коллектора в импульсе
Время переключения
Поляризация входного тока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы