Товары от производителя VISHAY - страница 1211

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
59.16 
Доступность: 2154 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
90.52 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1467DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1467DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1469DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1469DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
32.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1480DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,6А; Idm: 7А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1499DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1499DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,5нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1539CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 700/-500мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
91.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
49.89 
Доступность: 340 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70 МонтажSMD
76.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD
60.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 3.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC70
89.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1926DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 370мА; Idm: 0,65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1926DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 370мА; Idm: 0,65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1965DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки