Товары от производителя VISHAY - страница 1219

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
166.07 
Доступность: 856 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3483DDV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3483DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
40.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
152.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
183.18 
Доступность: 68 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
119.03 
Доступность: 4180 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/4,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 3/-2А; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5/6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3900DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 8А; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3900DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 8А; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3932DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,7А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3993CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4038DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 42,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4056ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,3А; Idm: 40А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
191.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4056DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки