Товары от производителя VISHAY - страница 1218

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3456DDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
86.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3456DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
133.29 
Доступность: 939 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
147.54 
Доступность: 1429 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
130.43 
Доступность: 248 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
71.28 
Доступность: 5605 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3460DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3464DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 8А; Idm: 20А; 3,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3469DV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3469DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
158.23 
Доступность: 2940 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3473DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
114.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3474DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3476DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 4,6А; Idm: 18А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3477DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -25А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки