Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1214

Сортировать по:
Новинки ниже
SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2318DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
57.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23" 3.

SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А
0.0
SI2319CDS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А" 1.

SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2319CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
124.73 ₽
Доступность: 2780 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А
0.0
SI2319DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
75.55 ₽
Доступность: 60 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А
0.0
SI2319DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
168.21 ₽
Доступность: 202 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А
0.0
SI2319DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
117.61 ₽
Доступность: 1760 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
0.0
SI2323CDS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2323CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
116.18 ₽
Доступность: 1244 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2323DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
100.50 ₽
Доступность: 424 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
0.0
SI2323DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
67.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
0.0
SI2323DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
153.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2324DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
76.27 ₽
Доступность: 1905 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт
0.0
SI2325DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
239.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2325DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
229.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А
0.0
SI2328DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
211.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А" 1.

SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23
0.0
SI2328DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
164.65 ₽
Доступность: 2739 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2328DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,92А; 0,47Вт; SOT23" 1.

SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2329DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
137.56 ₽
Доступность: 2515 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А
0.0
SI2333CDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
137.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2333CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
164.65 ₽
Доступность: 1863 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2333DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23 МонтажSMD
96.94 ₽
Доступность: 534 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки