Товары от производителя VISHAY - страница 1212

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1965DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
51.32 
Доступность: 2773 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2300DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,4А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
74.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
95.51 
Доступность: 3409 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
103.35 
Доступность: 8390 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.83 
Доступность: 5598 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
111.90 
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,2А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
46.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
68.42 
Доступность: 2267 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
19.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
64.15 
Доступность: 4550 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
106.20 
Доступность: 1679 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4500000000нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2306BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 20А; 1,25Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки