Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1291

Сортировать по:
Новинки ниже
SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт
0.0
SQJ868EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
80.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт" 3000.

SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJ974EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
239.18 ₽
Доступность: 2890 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А
0.0
SQJA16EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
141.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SQJB70EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
220.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А
0.0
SQJQ130EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора455нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
360.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А" 2000.

SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А
0.0
SQJQ184E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора272нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
449.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А" 2000.

SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L
0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
374.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L
0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
469.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM100N04-2M7-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95,5нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
524.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM100P10-19L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
615.33 ₽
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM120N06-3M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
779.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263
0.0
SQM120N10-3M8-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора125нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
646.56 ₽
Доступность: 157 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт
0.0
SQM120P06-07L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
555.71 ₽
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А
0.0
SQS141ELNW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
85.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

SQS142ENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А
0.0
SQS142ENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
68.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS142ENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А" 3000.

SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт
0.0
SQS401EN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
126.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт" 1.

SQSA82CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт
0.0
SQSA82CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA82CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт" 3000.

SQSA84CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт
0.0
SQSA84CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA84CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт" 3000.

SUD08P06-155L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8,2А; Idm: -18А
0.0
SUD08P06-155L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
224.27 ₽
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD08P06-155L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8,2А; Idm: -18А" 1.

SUD09P10-195-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А
0.0
SUD09P10-195-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34,8нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
87.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD09P10-195-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А" 2000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки