Товары от производителя VISHAY - страница 1283

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
293.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
304.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
165.37 
Доступность: 1465 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
249.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
249.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
221.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
254.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
325.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
257.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
182.40 
Доступность: 8426 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
330.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
273.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
198.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
149.75 
Доступность: 994 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
205.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
249.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
273.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
235.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки