Товары от производителя VISHAY - страница 1297

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
7 277.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA15, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 300А; SOT227B; винтами; 909Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMTP Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-50MT060PHTAPBF
17 184.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-50MT060PHTAPBF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100DA120UF
10 053.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100DA120UF, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100TS065N
12 981.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100TS065S
15 320.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT150TS065S
18 043.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT150TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT180DA120U
8 056.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT180DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 185А; SOT227B" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065N
17 547.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065S
21 809.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусDual INT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT300YH120N
34 657.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT300YH120N, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусDual INT-A-Pak LP16mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT400TD60S
55 056.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT400TD60S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT80DA120U
8 501.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT90DA120U
8 809.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT90DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 106А; SOT227B" 1.

Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток0,43А Кол-во каналов1
102.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1040X-T1-GE3, IC: power switch; high-side; 0,43А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC89-6" 1.

Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток1,1А Кол-во каналов1
53.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1865DDL-T1-GE3, IC: power switch; high-side; 1,1А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70" 1.

Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток1,2А Кол-во каналов1
114.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1869DH-T1-E3, IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70" 1.

Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток2,8А Кол-во каналов1
118.52 
Доступность: 2425 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3865DDV-T1-GE3, IC: power switch; high-side; 2,8А; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6" 1.

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток2,4А Кол-во каналов1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIP32401ADNP-T1GE4, IC: power switch; high-side; 2,4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4" 1.

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток3,5А Кол-во каналов1
64.58 
Доступность: 2425 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIP32409DNP-T1-GE4, IC: power switch; high-side; 3,5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4" 1.

Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток Кол-во каналов1
0.00 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIP32411DR-T1-GE3, IC: power switch; high-side; 2А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SC70-6" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки