Товары из категории полупроводники - страница 2056

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSI9435BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора33нC Код производителяSI9926CDY-T1-E3 КорпусSO8 МонтажSMD
324.26 
Доступность: 638 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSI9926CDY-T1-GE3 КорпусSO8
333.62 
Доступность: 2300 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSI9933CDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI9933CDY-T1-GE3 КорпусSO8
175.32 
Доступность: 2621 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI9945BDY-T1-GE3 КорпусSO8
213.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9945BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC Код производителяSIA106DJ-T1-GE3 МонтажSMD
87.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA106DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIA108DJ-T1-GE3 МонтажSMD
82.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA108DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 30А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIA110DJ-T1-GE3 МонтажSMD
103.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA110DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 12А; Idm: 20А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC Код производителяSIA112LDJ-T1-GE3 МонтажSMD
74.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA112LDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,8А; Idm: 10А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA400EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
157.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA400EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSIA413ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
95.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSIA413DJ-T1-GE3 МонтажSMD
225.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIA414DJ-T1-GE3 МонтажSMD
96.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA414DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIA416DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIA421DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA421DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC Код производителяSIA4263DJ-T1-GE3 МонтажSMD
45.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA4265EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
32.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIA427ADJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA427ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSIA429DJT-T1-GE3 МонтажSMD
61.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж