Товары из категории полупроводники - страница 2058

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,8нC Код производителяSIA471DJ-T1-GE3 МонтажSMD
172.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA472EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
51.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA472EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIA477EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
47.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIA477EDJT-T1-GE3 МонтажSMD
43.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSIA483ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
34.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSIA483DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
131.91 
Доступность: 1484 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC Код производителяSIA485DJ-T1-GE3 МонтажSMD
52.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC Код производителяSIA517DJ-T1-GE3 МонтажSMD
163.40 
Доступность: 2164 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16/12нC Код производителяSIA519EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
61.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/15нC Код производителяSIA527DJ-T1-GE3 МонтажSMD
43.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC Код производителяSIA533EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
65.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25/16нC Код производителяSIA537EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
52.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIA811ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
56.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIA817EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
39.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIA906EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
56.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSIA910EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
61.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIA913ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
53.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC Код производителяSIA918EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
43.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIA921EDJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
178.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSIA923AEDJ-T1-GE3 МонтажSMD
65.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж