Товары из категории полупроводники - страница 2092

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC Код производителяSIS443DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
359.15 
Доступность: 90 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIS444DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
155.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS444DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора181нC Код производителяSIS447DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
191.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC Код производителяSIS454DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
276.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS454DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS4604LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
258.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIS4608LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
213.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS468DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
325.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIS472ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
131.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIS472BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
161.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS472DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
165.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSIS476DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
306.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS476DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS488DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
264.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS488DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS606BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
321.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS606BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSIS698DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
209.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC Код производителяSIS780DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
170.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS822DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
98.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS822DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS862ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
232.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC Код производителяSIS862DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
262.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 40А; Idm: 100А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяSIS888DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
387.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS888DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIS890ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
239.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж