Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторные модули MOSFET

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
DAMIA660N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227H; винтами
0.0
DAMIA660N150-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA660N150
18 676 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA660N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227H; винтами" 1.

DAMIA700N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 520А; SOT227H; винтами
0.0
DAMIA700N100-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA700N100
16 757 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA700N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 520А; SOT227H; винтами" 1.

DAMIA760N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 450А; SOT227H; винтами
0.0
DAMIA760N150-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA760N150
19 525 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA760N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 450А; SOT227H; винтами" 1.

DAMIA800N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 600А; SOT227H; винтами; винтами
0.0
DAMIA800N60-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяDAMIA800N60
16 757 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA800N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 600А; SOT227H; винтами; винтами" 1.

DAMIA830N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 620А; SOT227H; винтами
0.0
DAMIA830N100-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA830N100
17 487 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA830N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 620А; SOT227H; винтами" 1.

DAMIA960N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 720А; SOT227H; винтами
0.0
DAMIA960N100-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA960N100
18 336 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA960N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 720А; SOT227H; винтами" 1.

DAMIA960N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 720А; SOT227H; винтами; винтами
0.0
DAMIA960N60-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяDAMIA960N60
17 487 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DAMIA960N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 720А; SOT227H; винтами; винтами" 1.

FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А
0.0
FF45MR12W1M1B11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1BM-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
10 129 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А" 1.

G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
9 348 ₽
Доступность: 110 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
19 151 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт
0.0
IXFN100N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 499 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт" 1.

IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN100N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 275 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXFN100N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора183нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 835 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт
0.0
IXFN102N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора224нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 818 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN110N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора254нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 499 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт
0.0
IXFN110N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 956 ₽
Доступность: 8 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN120N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 229 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN130N90SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
39 885 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 795 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт
0.0
IXFN140N20P
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 657 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN140N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 467 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN150N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 511 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт
0.0
IXFN160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 560 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN170N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 513 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (13)