Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 19

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Вид упаковкитуба Код производителяAPT85GR120J Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
9 248.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Код производителяAPT85GR120JD60 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
10 708.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения113нс Время выключения445нс Заряд затвора0,49мкC Код производителяAPT85GR120L
4 034.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120L, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 85А; 962Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения336нс Заряд затвора312нC Код производителяAPT95GR65B2
3 058.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT95GR65B2, Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 100А; 892Вт; T-Max" 1.

Код производителяAPTGF75H120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGF75H120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGL120TA120TPG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL120TA120TPG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 120А" 1.

Код производителяAPTGL120TDU120TPG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL120TDU120TPG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Код производителяAPTGL180A120T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL180A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGL240TL120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL240TL120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGL325A120D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL325A120D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGL40H120T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL40H120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGL40X120T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL40X120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Код производителяAPTGL475A120D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL475A120D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGL475DA120D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL475DA120D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; D3" 1.

Код производителяAPTGL475SK120D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL475SK120D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А" 1.

Код производителяAPTGL475U120D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL475U120D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А; D4" 1.

Код производителяAPTGL475U120DAG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL475U120DAG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А; SP6C; винтами" 1.

Код производителяAPTGL60DDA120T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
20 250.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGL60H120T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL60H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGL60TL120T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL60TL120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж