Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 20

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGL700DA120D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL700DA120D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; D3" 1.

Код производителяAPTGL700SK120D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL700SK120D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 700А" 1.

Код производителяAPTGL700U120D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL700U120D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 700А; D4" 1.

Код производителяAPTGL90A120T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90A120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGL90DA120T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGL90DDA120T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGL90DSK120T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90DSK120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGL90H120T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGLQ100A120T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGLQ100A120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 529.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGLQ100A65T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяAPTGLQ100DA120T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
18 526.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGLQ100H65T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGLQ150A120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGLQ150H120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ150H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Код производителяAPTGLQ200A120T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGLQ200H120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

Код производителяAPTGLQ200H65G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200H65G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

Код производителяAPTGLQ200HR120G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200HR120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGLQ25H120T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Обратное напряжение макс.1,2кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ25H120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж