Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
FP06R12W1T4B3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP06R12W1T4B3BOMA1
7 764 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "FP06R12W1T4B3BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 6А; 94Вт" 1.

0.0
FP100R12KT4B11
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO3-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP100R12KT4B11BOSA1
47 397 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP100R12KT4B11BOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
FP10R12W1T7B11
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP10R12W1T7B11BOMA1
5 856 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP10R12W1T7B11BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 10А" 1.

0.0
FP15R12W1T4B3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP15R12W1T4_B3
6 946 
Доступность: 18 шт.
+

Минимальное количество для товара "FP15R12W1T4_B3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 15А" 1.

0.0
FP25R12W1T7B11
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP25R12W1T7B11BPSA1
8 489 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP25R12W1T7B11BPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
FP30R06KE3BPSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP30R06KE3BPSA1
15 489 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP30R06KE3BPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 30А" 1.

0.0
FP40R12KT3BOSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2-5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP40R12KT3BOSA1
29 430 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP40R12KT3BOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
FP50R06W2E3B11
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP50R06W2E3B11BOMA1
12 817 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP50R06W2E3B11BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

0.0
FP50R12KT3BOSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO3-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP50R12KT3BOSA1
18 944 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FP50R12KT3BOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
FP75R12KT4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO3-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP75R12KT4
48 598 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "FP75R12KT4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
FS100R12W2T7B11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS100R12W2T7B11BOMA1
12 202 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS100R12W2T7B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
FS150R12KT4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS150R12KT4BOSA1
35 935 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS150R12KT4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
FS150R17PE4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO4-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS150R17PE4BOSA1
57 504 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS150R17PE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
FS15R12VT3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS15R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 472 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А" 1.

0.0
FS200R12KT4RB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS200R12KT4RB11BOSA1
84 610 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
FS50R12KE3BPSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS50R12KE3BPSA1
21 066 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт" 1.

0.0
FS75R12W2T4B11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R12W2T4B11BOMA1
9 443 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 15.

0.0
FZ400R12KS4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R12KS4HOSA1
20 766 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

0.0
FZ400R17KE4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R17KE4HOSA1
30 204 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
FZ600R12KE3HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ600R12KE3HOSA1
34 542 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

0.0
FZ900R12KE4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ900R12KE4HOSA1
39 963 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

0.0
GD100SGY120D6S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100SGY120D6S
4 336 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

0.0
GD10PJX65F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65F1S
5 866 
Доступность: 23 шт.
+

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

0.0
GD10PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65L2S
4 762 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)