Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 23

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGT150A120T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT150A120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
44 461.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT150A60T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT150A60T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A60T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT150DA120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DA120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT150DA60T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DA60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGT150DH120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT150DH170G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT150DH60TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 135.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT150DU120G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DU120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT150DU120TG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Код производителяAPTGT150H120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Код производителяAPTGT150H60TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150H60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT150SK120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150SK120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Код производителяAPTGT150SK170G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 150А" 1.

Код производителяAPTGT150SK60T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150SK60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGT150TA60PG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150TA60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 150А" 1.

Код производителяAPTGT150TDU60PG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150TDU60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Код производителяAPTGT150TL60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150TL60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGT200A120D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A120D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж