Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 25

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGT25X120T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT25X120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET; SP3" 1.

Код производителяAPTGT300A120D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A120D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT300A120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT300A170D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A170D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT300A170G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT300A60D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A60D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT300A60G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT300A60TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300A60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT300DA120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DA120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT300DA170D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DA170D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; D3" 1.

Код производителяAPTGT300DA170G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DA170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT300DA60D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DA60D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Код производителяAPTGT300DA60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DA60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Код производителяAPTGT300DH60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DH60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT300DU120G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DU120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT300DU170G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DU170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT300DU60G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300DU60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT300H60G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300H60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Код производителяAPTGT300SK120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300SK120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

Код производителяAPTGT300SK170G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
53 814.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 300А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж