Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.72

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKIIP38GB12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB12T7V1 25241218
67 470.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB12T7V1 25241218, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP38GB17E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB17E4V1 25241719
78 806.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB17E4V1 25241719, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKIIP38NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность11кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 778.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB066V1 25230650, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 100А" 1.

0.0
SKIIP38NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
69 116.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А" 1.

0.0
SKIIP38NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38NAB12T7V1 25231930
80 452.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB12T7V1 25231930, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39AC065V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность15кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 752.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC065V2 25231490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIIP39AC066V4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC066V4 25231360
63 264.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC066V4 25231360, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SKIIP39AC126V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
91 606.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V2 25230550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

0.0
SKIIP39AC126V20
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
87 033.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V20 25230940, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT,термистор NTC" 1.

0.0
SKIIP39AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 952.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T4V1 25231450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 48.

0.0
SKIIP39AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC12T7V1 25231070
89 228.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T7V1 25231070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SKIIP39AHB16V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V1 25230190
45 528.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V1 25230190, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39AHB16V3
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V3 25231180
47 356.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V3 25231180, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKIIP39ANB16V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39ANB16V1 25230180
50 283.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39ANB16V1 25230180, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GA12T4V1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GA12T4V1 25232770
49 369.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GA12T4V1 25232770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

0.0
SKIIP39GB12E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12E4V1 M20
76 430.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12E4V1 M20, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12T7V1 25241222
74 784.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12T7V1 25241222, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12VV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12VV1 25241220
88 863.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12VV1 25241220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39MLI07E3V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI07E3V1 25238000
70 578.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI07E3V1 25238000, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39MLI12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI12T4V1 25230510
74 784.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI12T4V1 25230510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39TMLI12T4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39TMLI12T4V2 25232780
74 235.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39TMLI12T4V2 25232780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM120GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM120GD176D 23916470
114 461.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM120GD176D 23916470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIM200GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM200GD126D 23916200
93 068.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM200GD126D 23916200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 180А" 1.

0.0
SKIM201MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM201MLI12E4 23918890
72 954.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM201MLI12E4 23918890, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж