Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 133

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC Код производителяGAN140-650FBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC Код производителяGAN190-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC Код производителяGAN190-650FBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора12нC Код производителяGAN3R2-100CBEAZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN3R2-100CBEAZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора7,6нC Код производителяGAN7R0-150LBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN7R0-150LBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 150В; 28А; Idm: 120А; 28Вт" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора22нC Код производителяGPT65C0YME КорпусDFN8080
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65C0YME, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора38нC Код производителяGPT65Z4YMR КорпусDFN8080
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65Z4YMR, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяHUF75639S3ST КорпусD2PAK
600.34 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяHUF76407D3ST КорпусDPAK МонтажSMD
97.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF76407D3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; 38Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора88нC Код производителяIAUA170N10S5N031AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA170N10S5N031AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 519А; 197Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяIAUA180N04S5N012AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA180N04S5N012AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; Idm: 720А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяIAUA180N08S5N026AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA180N08S5N026AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 25А; Idm: 546А; 179Вт; PG-HSOF-5" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяIAUA180N10S5N029AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA180N10S5N029AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 24А; Idm: 561А; 221Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC Код производителяIAUA200N04S5N010AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
391.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора119нC Код производителяIAUA210N10S5N024AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA210N10S5N024AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 26А; Idm: 674А; 238Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяIAUA220N08S5N021AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA220N08S5N021AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 27А; Idm: 677А; 211Вт; PG-HSOF-5" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяIAUA250N04S6N005AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N005AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 62А; Idm: 1500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора169нC Код производителяIAUA250N04S6N006AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N006AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 57А; Idm: 1500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC Код производителяIAUA250N04S6N007AUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N007AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 55А; Idm: 1350А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC Код производителяIAUA250N04S6N007EAUMA1 КорпусPG-HSOF-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N007EAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 55А; Idm: 1300А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж