Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 141

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А
0.0
IPB160N04S4L-H1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB160N04S4LH1ATMA1 КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А" 1.

IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
0.0
IPB180N04S4H0
Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC Код производителяIPB180N04S4H0ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD
542.52 ₽
Доступность: 910 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А
0.0
IPB180N06S4H1ATMA2
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB180N06S4H1ATMA2 КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А" 1.

IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB200N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
458.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB200N25N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 187.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB320N20N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB320N20N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
648.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB407N30NATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB407N30NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 242.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R140CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R140CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
277.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3" 1000.

IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R199CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R199CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
664.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R250CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R250CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
508.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R299CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R299CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
469.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB530N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB530N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
230.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB600N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB600N25N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
636.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
0.0
IPB60R060P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC Код производителяIPB60R060P7ATMA1 КорпусD2PAK
880.95 ₽
Доступность: 998 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
0.0
IPB60R080P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC Код производителяIPB60R080P7ATMA1 КорпусD2PAK
873.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R099C6
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099C6 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R099C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 139.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC Код производителяIPB60R099C7ATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD
924.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2
0.0
IPB60R099CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099CPATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 307.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC Код производителяIPB60R099P7ATMA1 КорпусD2PAK
772.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж