Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 139

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB030N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB030N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
738.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB031N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB031N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
667.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB031NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB031NE7N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
486.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB033N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 108А; 179Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB033N10N5LF
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB033N10N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB033N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 108А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB034N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB034N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB034N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB034N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB035N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB035N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB035N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB035N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB036N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB036N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 105.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB037N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB037N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
293.37 ₽
Доступность: 992 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB038N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB038N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
767.01 ₽
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB039N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB039N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
433.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB042N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB042N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
398.81 ₽
Доступность: 982 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB044N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А; 300Вт
0.0
IPB044N15N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB044N15N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB044N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А; 300Вт" 1.

IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт
0.0
IPB048N15N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB048N15N5ATMA1 КорпусPG-TO 263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт" 1.

IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB048N15N5LF
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB048N15N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 612.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB049N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB049N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
465.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB049NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB049NE7N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
349.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB054N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB054N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
347.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB054N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB054N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
340.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB055N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB055N03LGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB057N06NATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB057N06NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
386.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж