Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.157

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIS476DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
204.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS476DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

0.0
SIS488DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
182.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS488DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

0.0
SIS606BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
235.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS606BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А" 1.

0.0
SIS698DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
137.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А" 1.

0.0
SIS780DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
117.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А" 1.

0.0
SIS822DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
71.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS822DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

0.0
SIS862ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
114.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS862DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 40А; Idm: 100А; 52Вт" 1.

0.0
SIS888DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
260.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS888DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт" 1.

0.0
SIS890ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
176.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

0.0
SIS892ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
187.35 
Доступность: 2842 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS892ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8" 1.

0.0
SIS892DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт" 1.

0.0
SISA04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

0.0
SISA10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
181.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

0.0
SISA12ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
154.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

0.0
SISA14BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
123.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 58А; Idm: 130А; 29Вт" 1.

0.0
SISA14DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
87.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

0.0
SISA18ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
90.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

0.0
SISA24DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
149.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA24DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 33Вт" 1.

0.0
SISA40DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISA72ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
141.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA72ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 74А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISA72DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
120.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISA88DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
91.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA88DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32,4А; Idm: 100А" 1.

0.0
SISA96DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA96DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж