Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.163

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SCTL35N65G2V
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTL35N65G2V Полярностьполевой
3 620.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCTL35N65G2V, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SCTL90N65G2V
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSCTL90N65G2V Полярностьполевой
7 789.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCTL90N65G2V, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SGT120R65AL
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3нC КорпусPowerFLAT 5x6
826.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGT120R65AL, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт" 1.

0.0
SI1012CR-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC75A
38.74 
Доступность: 2309 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A" 1.

0.0
SI1012R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC75A
45.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

0.0
SI1012X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563
51.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD" 3.

0.0
SI1022R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC75A
76.68 
Доступность: 3230 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A; ESD" 1.

0.0
SI1032R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC75A
65.61 
Доступность: 2843 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1032R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A" 1.

0.0
SI1062X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
43.48 
Доступность: 4844 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

0.0
SI1302DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70 МонтажSMD
85.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70" 1.

0.0
SI1302DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,86нC КорпусSC70 МонтажSMD
78.26 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70" 1.

0.0
SI1308EDL-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSC70
67.98 
Доступность: 1320 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1330EDL-T1-E3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,4нC КорпусSC70
128.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1330EDL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1424EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусSC70
64.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1424EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1428EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70
44.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1428EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 3.

0.0
SI1442DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
67.98 
Доступность: 2720 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1442DH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт" 1.

0.0
SI1902DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70 МонтажSMD
76.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; Idm: 1А; 0,14Вт; SC70" 1.

0.0
SI1922EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC70
101.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI2300DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
45.06 
Доступность: 962 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2300DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2302A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.15 
Доступность: 6539 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2302A-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж