Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.166

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI4174DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
131.23 
Доступность: 1692 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4174DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4178DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSO8 МонтажSMD
71.94 
Доступность: 2430 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4178DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4204DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусSO8 МонтажSMD
256.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4204DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 15,5А; Idm: 50А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
SI4436DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусSO8 МонтажSMD
136.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 25А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4436DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
146.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,8А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4464DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
265.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

0.0
SI4488DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSO8 МонтажSMD
423.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4488DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт" 1.

0.0
SI4686DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
118.58 
Доступность: 1224 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4686DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 14,5А; 3,3Вт; SO8" 1.

0.0
SI4800BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
102.77 
Доступность: 505 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4800BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4840BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
226.09 
Доступность: 1930 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4840BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 9,9А; 6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4848DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
248.22 
Доступность: 2044 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4848DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт" 1.

0.0
SI4848DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
265.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4848DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт" 1.

0.0
SI4850EY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
140.71 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,1А; 3,3Вт; SO8" 1.

0.0
SI4850EY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
331.23 
Доступность: 1089 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

0.0
SI4894BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8" 2500.

0.0
SI7164DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
449.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7164DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 80А; 104Вт" 1.

0.0
SI7414DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
226.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7414DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,7А; Idm: 30А" 1.

0.0
SI7738DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
354.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7738DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 26А; Idm: 60А; 62Вт" 1.

0.0
SI7850DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
398.42 
Доступность: 2947 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7850DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; Idm: 40А; 0,9Вт" 1.

0.0
SI8424CDB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
83.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8424CDB-T1-E1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 10А; Idm: 25А; 1,8Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж