Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 196

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяMMFTN340K
63.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN340K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC Код производителяMMFTN3422ASK
78.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3422ASK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN3422K КорпусSOT23 МонтажSMD
70.58 
Доступность: 3230 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3422K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяMMFTN3479KW КорпусSOT323
31.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3479KW, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,5А; Idm: 14А; 0,9Вт; SOT323" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC Код производителяMMFTN4520-AQ КорпусSOT23
119.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN4520-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 1А; Idm: 4А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC Код производителяMMFTN4520 КорпусSOT23
78.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN4520, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 1А; Idm: 4А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC Код производителяMMFTN490K-AQ КорпусSOT23
42.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN490K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23" 5.

ВерсияESD Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяMMFTN501K
138.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN501K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30мА; Idm: 0,12А; 500мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN6001 КорпусSOT23 МонтажSMD
22.96 
Доступность: 161933 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN6001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 440мА; Idm: 1А; 530мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC Код производителяMMFTN620KD-AQ КорпусSOT26, SOT457
15.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN620KD-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC Код производителяMMFTN620KD КорпусSOT26, SOT457
11.05 
Доступность: 2840 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN620KD, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт" 20.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора267нC Код производителяMMIX1F132N50P3 КорпусSMPD
8 823.98 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора367нC Код производителяMMIX1F160N30T КорпусSMPD
8 234.69 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Код производителяMMIX1F180N25T КорпусSMPD
10 295.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Код производителяMMIX1F210N30P3 КорпусSMPD
8 736.39 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Код производителяMMIX1F230N20T КорпусSMPD
10 295.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC Код производителяMMIX1F360N15T2 КорпусSMPD
10 618.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Код производителяMMIX1F40N110P КорпусSMPD
11 142.01 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,1кВ; 24А; Idm: 100А; 500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Код производителяMMIX1F420N10T КорпусSMPD
8 427.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F420N10T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Код производителяMMIX1F44N100Q3 КорпусSMPD
9 879.25 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F44N100Q3, Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж