Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 191

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности180нс Заряд затвора215нC КорпусTO268
3 007.65 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT75N10L2, Транзистор: N-MOSFET; Linear L2™; полевой; 100В; 75А; 400Вт; TO268" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора180нC КорпусTO268
3 412.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT80N20L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 80А; 520Вт; TO268; 250нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора142нC КорпусTO268
1 268.35 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTT82N25P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 250В; 82А; 500Вт; TO268" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности250нс Заряд затвора180нC КорпусTO268
2 297.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT88N30P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 300В; 88А; 600Вт; TO268" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности150нс Заряд затвора110нC КорпусTO268
1 799.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTT96N15P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 150В; 96А; 480Вт; TO268" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток1кВ
368.50 
Доступность: 350 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY01N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO252
798.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252; 2нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс КорпусTO252 МонтажSMD
353.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс" 1.

Вид каналаобедненный Время готовности1мкс КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
422.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC КорпусTO252 МонтажSMD
737.00 
Доступность: 207 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
743.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO252; 750нс" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора312нC КорпусTO252
494.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO252; 11нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
869.27 
Доступность: 350 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
354.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO252 МонтажSMD
511.47 
Доступность: 74 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности700нс Заряд затвора9нC КорпусTO252
257.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 42Вт; TO252; 700нс" 350.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Заряд затвора17,8нC КорпусTO252
454.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252
926.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252HV
602.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120PHV, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора645нC КорпусTO252
738.53 
Доступность: 372 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж