Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 238

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSM002N06T2L КорпусVMT3 МонтажSMD
51.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002N06T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; VMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRSQ015N06TR КорпусTSMT6
55.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015N06TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,5А; Idm: 6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC Код производителяRSQ020N03HZGTR КорпусTSMT6
167.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ020N03HZGTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRSQ030N08HZGTR КорпусTSMT6
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ030N08HZGTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC Код производителяRSQ035N03FRATR КорпусTSMT6
57.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ035N03FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRSQ035N06HZGTR КорпусTSMT6
148.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ035N06HZGTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяRSR010N10FHATL КорпусTSMT3
66.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR010N10FHATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяRSR010N10HZGTL КорпусTSMT3
143.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR010N10HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC Код производителяRSR020N06FRATL КорпусTSMT3
57.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR020N06FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC Код производителяRSR020N06HZGTL КорпусTSMT3
152.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR020N06HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRSR025N03FRATL КорпусTSMT3
57.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRSR025N03HZGTL КорпусTSMT3
140.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR025N03HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRSR030N06FRATL КорпусTSMT3
58.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR030N06FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRSR030N06HZGTL КорпусTSMT3
201.87 
Доступность: 2200 шт.
 

Минимальное количество для товара "RSR030N06HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяRSS090N03FRATB КорпусSOP8
202.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSS090N03FRATB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяRSS100N03HZGTB КорпусSOP8
356.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSS100N03HZGTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 40А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC Код производителяRTF016N05TL КорпусTUMT3
86.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTF016N05TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 1,6А; Idm: 6,4А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC Код производителяRTF025N03FRATL КорпусTUMT3
107.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTF025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC Код производителяRTF025N03TL КорпусTUMT3
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTF025N03TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC Код производителяRTL035N03TR КорпусTUMT6
158.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTL035N03TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 1Вт; TUMT6" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж