Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 239

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRTR020N05HZGTL КорпусTSMT3
131.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020N05HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC Код производителяRTR020N05TL КорпусTSMT3
90.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020N05TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 2А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяRTR025N03HZGTL КорпусTSMT3
148.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR025N03HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRTR030N05FRATL КорпусTSMT3
174.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030N05FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRTR030N05HZGTL КорпусTSMT3
206.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030N05HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяRTR030N05TL КорпусTSMT3
103.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030N05TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC Код производителяRTR040N03HZGTL КорпусTSMT3
164.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR040N03HZGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1C001UNTCL КорпусSOT323F
52.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1C002UNTCL КорпусSOT323F МонтажSMD
57.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1J002YNTCL КорпусSOT323F
38.33 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRU1L002SNTL КорпусSOT323F МонтажSMD
46.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200мВт; SOT323F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUC002N05HZGT116 КорпусSST3 МонтажSMD
38.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05HZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUC002N05T116 КорпусSST3 МонтажSMD
44.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05T116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC Код производителяRUF015N02TL КорпусTUMT3
28.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF015N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 800мВт; TUMT3" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRUF020N02TL КорпусTUMT3
114.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRUF025N02FRATL КорпусTUMT3
115.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRUF025N02TL КорпусTUMT3
153.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUM001L02T2CL КорпусSOT723
52.81 
Доступность: 11186 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM001L02T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUM002N02T2L КорпусSOT723
57.07 
Доступность: 762 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N02T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRUM002N05T2L КорпусSOT723
62.18 
Доступность: 8285 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N05T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж